在恒忆(Numonyx)尚未成立之时，Intel等公司就先后发表演说，大力进行PCM(相变存储器)技术的宣传。PCM，实际上就是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻，从而读取数据的，而储存数据则采用通过加热方式改变硫族化合物的状态。不过由于材料、制程工艺及功耗的原因，PCM一直未能成功进入商用领域。

　　可以看到，读写操作都是通过电流来衡量，功耗相对于其他存储产品来说能够节约不少

　　日前，恒忆宣布已率先推出第一代量产的Omneo系列相变存储器，这也标志着PCM正式进入市场。根据恒忆的解释，Omneo品牌代表相变存储器适用于嵌入式设计领域所有应用的内在能力(“omni”)和新一类存储器(“neo”)。

　　此次，Omneo系列发布了两款产品，包括串口(SPI) P5Q以及X16并口P8P两款128Mb产品，均采用90nm工艺。恒忆亚太区嵌入式业务总经理徐宏来预计，到2012年，45nm产品推出后，市场总规模将扩大到10亿美元。

　　Omneo产品的推出，势必会引起嵌入式存储领域的变革，关键原因是可以取代NOR和EEPROM的这种搭配。

　　由于PCM采用了位修改方式，因此相对于FLASH的BLOCK擦除方式来说，写操作会迅速得多。而读取速度与NOR不相上下。更重要的是，由于是相变原理，因此擦写次数可达100万次，稳定性远远超过FLASH。并且，随着工艺节点的演进，15nm可能是FLASH的极限，而预计PCM可达到7、8nm的制程。

　　徐宏来透露，目前恒忆正在进行DDRX的设计，可以提供非易失性的DDR，尽管写入速度不如RAM，但对于数据中心等需要大规模读取的应用场合来讲，一旦PCM替代DDR则能够极大降低服务器功耗。“一旦DRAM被PCM取代的话，存储器竞争体系将会被重新书写。”徐宏来说道。[page]

　　打印机，电表往往需要电池加SRAM的形式来进行数据记录，因此成本比较高，使用相变材料则可在保证可靠性的前提下，降低设计复杂度。

　　智能电表需要电池把内容写到MCU中，需要SPI NOR写程序，以及NVRAM铁电，EEPROM等复杂的存储参考设计，而采用P5Q，可将一切产品整合进其中。

　　因此，尽管目前PCM的价格会略高于NOR，但考虑到取代很多器件，TCO会下降很多，性价比还是比较高的。

　　由于采用的是加热器加热硫族化合物，因此目前工作温度只能在0~70度范围之内，徐宏来表示，随着工艺的提高，工作温度会变成传统的-40~85度之间。不过，由于SMT的操作温度为260度，数据会丢失。因此，目前采用的方式是先焊接器件，之后再拷贝程序，势必会加大程序写入成本。

　　因此对于工业类应用的拓展，恒忆也只是在小批量的投放给客户进行尝试，毕竟在可靠性、稳定性方面，需要经过反复验证。

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　　。他此前离开意法半导体帮助恒忆（Numonyx）创业。恒忆是意法半导体与英特尔的合资闪存公司，于2010年被美光收购。 Gualandris的前任是Georges Auguste。Georges Auguste晋升为公司执行副总裁，主管公司的封装测试制造（PTM），向首席运营官Didier Lamouche报告。PTM部原任主管是Jeffrey See，在为公司效力41年后，他将在近期退休。经过一个短暂的过渡期后，Auguste将于2011年5月1日正式接替Jeffrey See。自1999年起至今，Georges Auguste一直负责公司产品质量部。

　　该产品“相当于40纳米NOR闪存。” 业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存；而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度，是每微米(micron) 8个记忆单元(cell)，就证实了以上的猜测。 现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx)，在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit相变化内存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世；但是到目前为止，该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45奈米制程的1Gbit相变化内存，但这款原本预期今年上市的产品，迄今也未有后续消息。 UBM TechInsights

　　据国外媒体报道，全球第二大内存芯片厂商海力士周一宣布，该公司将以5220亿韩元(约合4.37亿美元)的价格，收购合作伙伴 Numonyx持有的旗下一家中国工厂的股份。 海力士将收购Numonyx持有的这家工厂的全部股份。海力士在向韩国证券交易所提交的材料中称，如果能得到中国政府的及时批准，这一交易将在约3个月后完成。 Numonyx是英特尔和意法半导体成立的合资内存芯片企业，内存芯片厂商美光今年2月份宣布将收购Numonyx。

　　美光科技(Micron Technology)日前宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金 Francisco Partners)。 完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的存储芯片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的“R2”技术研发/生产设施。恒忆是在2008年3月30日由意法半导体、英特尔以及Francisco Partners合资成立。 依据美光

　　在美光科技宣布完成对恒忆（Numonyx Holdings B.V.）的收购后，意法半导体（纽约证券交易所代码:STM）宣布，通过出售其持有恒忆48.6%的股份，意法半导体获得以下对价： -6688万股美光普通股，这些股票将视为交易性金融资产，按照5月6日的美光股价计算，这些股份价值5亿8520万美元；其中大部分的美光股票都已经采取套期保值。-恒忆在意大利卡塔尼亚的M6厂设施的未来全部所有权。意法半导体已将这座工厂设施投入到意法半导体、Enel和夏普合资成立的一家新的光伏太阳能板公司。-随同这项交易，意法半导体应在股票锁定期解除时

　　恒忆（Numonyx）作为相变存储技术（PCM）的创新者，今天宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。 这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次数

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