相变存储(PCM)一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，

　　(Numonyx) 与英特尔(Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。

　　上述发现是 Numonyx 与 Intel 长久以来共同进行的一项研究计划的成果，该计划的目的着重于研究多层式或堆栈式 PCM 单元阵列。双方的研究人员如今已能够演示垂直一体化的存储单元 —— PCMS (相变存储及开关)。PCMS 包含一个 PCM 组件，此组件与全新使用的双向阈值开关 (OTS) 堆栈于真正的交叉点阵列中。这一能够堆栈 PCMS 阵列的能力可实现更高存储容量的可扩展性，同时维持 PCM 的效能特性，而这对于传统的内存技术而言则是巨大的挑战。

　　Numonyx 资深技术研究员 Greg Atwood 表示：“这些研究成果具有相当光明的前景，显示了未来 PCM 产品可达到的更高容量、可扩展式阵列及类 NAND 使用模式等。由于传统的闪存技术面临某些实体限制和可靠性等问题，且存储产品在从手机到数据中心等应用中都有着日益增长的需求，这些成果更显得弥足珍贵。”

　　Intel 研究员兼存储技术开发总监 Al Fazio 表示：“我们持续进行着内存技术的开发，希望借此提升计算平台的性能。我们对于这一里程碑式的研究成果感到相当振奋。PCMS 等内存技术在未来对于扩大存储器在计算解决方案中的重要性、提升性能和可扩展性将有着相当重要的意义。”

　　存储单元是由堆栈存储组件及选择器所组成，并且具有多个组成存储阵列的单元。Numonyx 与 Intel 的研究人员已经能够部署薄膜双终端 OTS 做为选择器，以符合 PCM 扩展所需的实体及电特性要求。凭借薄膜 PCMS 的兼容性，如今已能够建立多层的交叉点存储阵列。一旦经过整合及嵌入真正的交叉点阵列后，多层阵列便可结合 CMOS 电路的解码、感知及逻辑功能。

　　更多关于存储单元、交叉点阵列、实验及成果的信息将刊登于题为《堆栈式交叉点相变存储》的共同文件中，并将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子器件会议 (Internatinal Electron Devices Meeting) 上发表。此文件由 Numonyx 与 Intel 双方的技术人员合著，届时将由 Intel 资深首席工程师 DerChang Kau 发表。

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　　。他此前离开意法半导体帮助恒忆（Numonyx）创业。恒忆是意法半导体与英特尔的合资闪存公司，于2010年被美光收购。 Gualandris的前任是Georges Auguste。Georges Auguste晋升为公司执行副总裁，主管公司的封装测试制造（PTM），向首席运营官Didier Lamouche报告。PTM部原任主管是Jeffrey See，在为公司效力41年后，他将在近期退休。经过一个短暂的过渡期后，Auguste将于2011年5月1日正式接替Jeffrey See。自1999年起至今，Georges Auguste一直负责公司产品质量部。

　　该产品“相当于40纳米NOR闪存。” 业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存；而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度，是每微米(micron) 8个记忆单元(cell)，就证实了以上的猜测。 现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx)，在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit相变化内存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世；但是到目前为止，该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45奈米制程的1Gbit相变化内存，但这款原本预期今年上市的产品，迄今也未有后续消息。 UBM TechInsights

　　据国外媒体报道，全球第二大内存芯片厂商海力士周一宣布，该公司将以5220亿韩元(约合4.37亿美元)的价格，收购合作伙伴 Numonyx持有的旗下一家中国工厂的股份。 海力士将收购Numonyx持有的这家工厂的全部股份。海力士在向韩国证券交易所提交的材料中称，如果能得到中国政府的及时批准，这一交易将在约3个月后完成。 Numonyx是英特尔和意法半导体成立的合资内存芯片企业，内存芯片厂商美光今年2月份宣布将收购Numonyx。

　　美光科技(Micron Technology)日前宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金 Francisco Partners)。 完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的存储芯片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的“R2”技术研发/生产设施。恒忆是在2008年3月30日由意法半导体、英特尔以及Francisco Partners合资成立。 依据美光

　　在美光科技宣布完成对恒忆（Numonyx Holdings B.V.）的收购后，意法半导体（纽约证券交易所代码:STM）宣布，通过出售其持有恒忆48.6%的股份，意法半导体获得以下对价： -6688万股美光普通股，这些股票将视为交易性金融资产，按照5月6日的美光股价计算，这些股份价值5亿8520万美元；其中大部分的美光股票都已经采取套期保值。-恒忆在意大利卡塔尼亚的M6厂设施的未来全部所有权。意法半导体已将这座工厂设施投入到意法半导体、Enel和夏普合资成立的一家新的光伏太阳能板公司。-随同这项交易，意法半导体应在股票锁定期解除时

　　在恒忆(Numonyx)尚未成立之时，Intel等公司就先后发表演说，大力进行PCM(相变存储器)技术的宣传。PCM，实际上就是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻，从而读取数据的，而储存数据则采用通过加热方式改变硫族化合物的状态。不过由于材料、制程工艺及功耗的原因，PCM一直未能成功进入商用领域。 可以看到，读写操作都是通过电流来衡量，功耗相对于其他存储产品来说能够节约不少 首款嵌入式系列产品问世

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